深圳市合芯力科技有限公司

13年

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产品分类

优势库存(602)普通库存(59440)集成电路(IC)(51)电源IC(10)半导体存储器(15)二极管(14)三极管(2)场效应管MOSFET(11)可控硅IGBT(5)单片机(3)电容器(1)电阻器(4)电感器(2)电源/稳压器(2)石英晶体器件(1)连接器/接插件(5)开关(1)传感器(1)保险丝(32)放电管(1)继电器(4)光电子/光纤/激光(1)电子调谐器/高频头(1)LED(1)

供应威科模块10-FZ12NMA040SH-M267F 原装

型号/规格:10-FZ12NMA040SHM267 品牌/商标:Vincotech 环保类别:无铅环保型 批次:18+ 包装:135个/箱

供应S1D13742F01A200 原装

型号/规格:S1D13742F01A200 品牌/商标:SEIKO EPSON 封装:QFP144 批号:11+ 包装方式:搬

数模转换器DAC7571IDBVR

型号/规格:DAC7571IDBVR 品牌/商标:TI 封装:sot23 批号:19+ 描述:DAC 1-CH电阻串12位 工作温度:-40°C ~ 105°C 电压:2.7V ~ 5.5V 产品种类:数模转换器- DAC

LNK6666E 原装

型号/规格:LNK6666E 品牌/商标:POWER 封装:SIP-7 批号:17+ 包装:48

接口-I/O扩展器CP82C55AZ

型号/规格:CP82C55AZ 品牌/商标:Renesas 封装:PDIP-40 批号:18+ 工作电压:4.5 V to 5.5 V

功率电感/10uH ±20% LVS201610-100M-N

型号/规格:LVS201610-100M-N 品牌/商标:CHILISIN(奇力新) 环保类别:无铅环保型 主要用途:工业电子电气设备 额定电流:423mAA 额定电压:200mVV 外形尺寸:SMD,2.0x1.6x1mmmm

功率电感/2.2uH ±20%/LVS201610-2R2M-N

型号/规格:LVS201610-2R2M-N 品牌/商标:CHILISIN(奇力新) 环保类别:无铅环保型 主要用途:工业电子电气设备 额定电流:900mAA 额定电压:200mVV 外形尺寸:2.0x1.6x1.0mmmm

20mm近程传感器MK16-C-2

型号/规格:MK16-C-2 品牌/商标:MEDER (Standex) 封装:SMD/SMT 批号:19 感应距离:20 mm

线路收发器ICL3221EIVZ/ICL3221EIVZ-T

型号/规格:ICL3221EIVZ 品牌/商标:Renesas 封装:16-TSSOP 批号:19+ 接收器通讯类型:RS-232

SDRAM存储器MT41K256M8DA-125:K

存储器格式:DRAM 内存大小:2Gb (256M x 8) 封装:78-FBGA(8x10.5) 技术:SDRAM - DDR3L 工作温度:0°C ~ 95°C(TC)

SDRAM存储器MT41K256M16HA-125:E

存储器格式:DRAM 技术:SDRAM - DDR3L 存储容量:4Gb (256M x 16) 封装:96-FBGA(9x14) 工作温度:0°C ~ 95°C(TC)

贴片 0402 104K 16V 大量电容现货

型号/规格:0402 104K 16V 品牌/商标:SAMSUNG(三星) 环保类别:无铅环保型 安装方式:贴片式 包装方式:卷带编带包装 产品主要用途:普通/民用电子信息产品 引出线类型: 特征: 标称容量范围:uf 额定电压范围:V 温度系数范围:℃

DDR存储MT46V128M8P-6T IT:A

存储器构架:DRAM 类型:DDR 封装:tsop66 工作电压:2.3V ~ 2.7V 内存大小:1Gb

DDR存储器/MT41K512M16HA-125:A

类型:DDR内存 封装:FBGA96 内存大小:512 Meg x 16 工作电压:1.5V 温度:0°C ? T C ? +95°C

MT47H128M8SH-25E:M/MT47H128M16RT-25E

存储器构架(格式):DRAM 类别:DDR存储器 封装:FBGA-60 工作电压:1.7V ~ 1.9V 内存大小:1Gb

FLASH存储器PC28F640J3F75A

类型:FLASH存储器 封装:EasyBGA-64 Device Density:64Mb 工作电压:2.7V~3.6V Access Speed:75NS

FLASH存储器MTFC8GAKAJCN-4M IT

类型:FLASH存储器 工作温度:–40˚C to +85˚C 封装:VFBGA-153 内存:8G 工作电压:2.7–3.6V

FLASH存储器MTFC4GACAJCN-1M WT

类型:FLASH存储器 封装:VFBGA-153 内存:4G 工作温度:–25˚C to +85˚C 工作电压:2.7–3.6V

SDRAM存储器MT48LC16M16A2P-6A

类型:SDRAM存储器 封装:TSOP(II)-54 存储器容量:256Mb (16M x 16) 工作电压:3~3.6V 工作温度:0°C ~ 70°C(TA)

SDRAM存储器MT47H64M16NF-25E IT:M

类型:SDRAM存储器 封装:FBGA-84 内存:64 Meg x 16 工作电压:1.8V ±0.1V 工作温度:–40°C~+95°C

FLASH存储器M25P16-VMN6TP

类别:FLASH存储器 容量:16Mb (2M x 8) 存储器构架(格式):闪存 封装:SOP8 工作电压:2.7V ~ 3.6V

DDR4-4G存储器MT40A256M16GE-083E:B

容量:4G 封装:96-TFBGA 存储器格式:DRAM 工作温度:0°C ~ 95°C(TC) 工作电压:1.14V ~ 1.26V

蓝牙芯片 RTL8762AJ-CG 原装 现货

型号:RTL8762AJ-CG 品牌:REALTEK 封装:QFN 批次:18+ 包装:4900

WM8196SCDS 原装 WM8196SCDS/R 现货

型号:WM8196SCDS 品牌:WOLFSON 封装:SSOP28 批次:10+ 包装:2000

瑞昱低功耗蓝牙芯片RTL8762AG-CG

封装:QFN40 双模:2.4G/5G 内存:256KB嵌入式闪存 类型:支持蓝牙4.2规范 功耗:支持多级低能耗状态

FAN2360MPX 原装 FAN2360AMPX ON专营

型号/规格:FAN2360MPX 品牌/商标:ON(安森美) 封装:SMD 批次:二年内 包装:3000/REEL

FAN2365MPX 全新原装 FAN2365AMPX ON专营

型号/规格:FAN2365MPX 品牌/商标:ON(安森美) 封装:SMD 批次:二年内 包装:3000/REEL

NB3U1548CDR2G 全新原装 ON原厂渠道

型号:NB3U1548CDR2G 品牌:ON 封装:SOIC8 批次:二年内 包装:3000

干簧继电KT12-1A-40L-SMD/KT24-1A-40L-SMD

型号/规格:KT12-1A-40L-SMD 品牌/商标:Standex-Meder Electronics 产品长度(mm):30.2 产品高度(mm):8.7 安装方式:SMD

Trans MOSFET N-CH 40V 75A汽车BUK7Y08-40B

型号/规格:BUK7Y08-40B 品牌/商标:PHILIPS(飞利浦) 封装形式:LFPAK 环保类别:无铅环保型 安装方式:贴片式 包装方式:卷带编带包装 功率特性: 频率特性: 极性:

32KB ISP闪存的MCU C8051F902-D-GU

数据RAM大小:768 B. 封装:QSOP24 数据总线宽度:8位 时钟频率:25 MHz 程序内存:8 kB

笛簧继电器HE3621A2410/HE3621A2400

型号/规格:HE3621A2410 品牌/商标:力特 类型:簧片继电器 封装:直插4脚 线圈电压:24 VDC

簧片继电器 HE3351A2400/HE3351A1200

型号/规格:簧片继电器 HE3351A2400 品牌/商标:力特 开关电压:(300VAC) Max 工作温度:-20°C ~ 85°C 封装:SIP

放电管CG31.5L/CG31.0L

型号/规格:CG31.5L/CG31.0L 品牌/商标:力特 种类:放电管/气体等离子体避雷器 直流击穿电压:1500V 封装:轴向圆柱形

隔离器 - 栅极驱动器SI8233AB-D-IMR

封装:14-VFLGA 绝缘电压:2500Vrms 输出电流:4A 工作温度:-40°C ~ 125°C 工作电压:6.5 V to 24 V

直流线圈电压 干簧管继电器HE722A1210

型号/规格:HE722A1210 品牌/商标:力特 产品种类::直流线圈电压 干簧管继电器 开关电流:500mA 开关电压:200VDC 封装形式:DIP

ARM微控制器STM32F207VCT6/STM32F217VCT6

封装:LQFP-100 :ARM Cortex M3 程序存储器大小::256kb 数据总线宽度:32Bit 程序存储器类型:Flash

网络控制器与处理器SI2493-D-FT

封装:TSSOP-24 速度速率:56 kb/s 工作电压:3V ~ 3.6V 频率:4.92 MHz 工作温度:0C~+70 C