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深圳市合芯力科技有限公司
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DDR存储MT46V128M8P-6T IT:A
存储器构架:DRAM 类型:DDR 封装:tsop66 工作电压:2.3V ~ 2.7V 内存大小:1Gb
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DDR存储器/MT41K512M16HA-125:A
类型:DDR内存 封装:FBGA96 内存大小:512 Meg x 16 工作电压:1.5V 温度:0°C ? T C ? +95°C
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MT47H128M8SH-25E:M/MT47H128M16RT-25E
存储器构架(格式）:DRAM 类别:DDR存储器 封装:FBGA-60 工作电压:1.7V ~ 1.9V 内存大小:1Gb
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存储器， DRAM IC,4G,AS4C256M16D3B-12BCN
内存:4G 存储器格式:DRAM 封装:FBGA-96 包装方式:托盘 支持:SDRAM - DDR3