深圳市合芯力科技有限公司

供应威科模块10-FZ12NMA040SH-M267F 原装

型号/规格:10-FZ12NMA040SHM267 品牌/商标:Vincotech 环保类别:无铅环保型 批次:18+ 包装:135个/箱

供应S1D13742F01A200 原装

型号/规格:S1D13742F01A200 品牌/商标:SEIKO EPSON 封装:QFP144 批号:11+ 包装方式:搬

数模转换器DAC7571IDBVR

型号/规格:DAC7571IDBVR 品牌/商标:TI 封装:sot23 批号:19+ 描述:DAC 1-CH电阻串12位 工作温度:-40°C ~ 105°C 电压:2.7V ~ 5.5V 产品种类:数模转换器- DAC

LNK6666E 原装

型号/规格:LNK6666E 品牌/商标:POWER 封装:SIP-7 批号:17+ 包装:48

接口-I/O扩展器CP82C55AZ

型号/规格:CP82C55AZ 品牌/商标:Renesas 封装:PDIP-40 批号:18+ 工作电压:4.5 V to 5.5 V

功率电感/10uH ±20% LVS201610-100M-N

型号/规格:LVS201610-100M-N 品牌/商标:CHILISIN（奇力新） 环保类别:无铅环保型 主要用途:工业电子电气设备 额定电流:423mAA 额定电压:200mVV 外形尺寸:SMD,2.0x1.6x1mmmm

功率电感/2.2uH ±20%/LVS201610-2R2M-N

型号/规格:LVS201610-2R2M-N 品牌/商标:CHILISIN（奇力新） 环保类别:无铅环保型 主要用途:工业电子电气设备 额定电流:900mAA 额定电压:200mVV 外形尺寸:2.0x1.6x1.0mmmm

20mm近程传感器MK16-C-2

型号/规格:MK16-C-2 品牌/商标:MEDER (Standex) 封装:SMD/SMT 批号:19 感应距离:20 mm

线路收发器ICL3221EIVZ/ICL3221EIVZ-T

型号/规格:ICL3221EIVZ 品牌/商标:Renesas 封装:16-TSSOP 批号:19+ 接收器通讯类型:RS-232

SDRAM存储器MT41K256M8DA-125:K

存储器格式:DRAM 内存大小:2Gb （256M x 8） 封装:78-FBGA（8x10.5） 技术:SDRAM - DDR3L 工作温度:0°C ~ 95°C（TC）

SDRAM存储器MT41K256M16HA-125:E

存储器格式:DRAM 技术:SDRAM - DDR3L 存储容量:4Gb （256M x 16） 封装:96-FBGA（9x14） 工作温度:0°C ~ 95°C（TC）

贴片 0402 104K 16V 大量电容现货

型号/规格:0402 104K 16V 品牌/商标:SAMSUNG（三星） 环保类别:无铅环保型 安装方式:贴片式 包装方式:卷带编带包装 产品主要用途:普通/民用电子信息产品 引出线类型: 特征: 标称容量范围:uf 额定电压范围:V 温度系数范围:℃

DDR存储MT46V128M8P-6T IT:A

存储器构架:DRAM 类型:DDR 封装:tsop66 工作电压:2.3V ~ 2.7V 内存大小:1Gb

DDR存储器/MT41K512M16HA-125:A

类型:DDR内存 封装:FBGA96 内存大小:512 Meg x 16 工作电压:1.5V 温度:0°C ? T C ? +95°C

MT47H128M8SH-25E:M/MT47H128M16RT-25E

存储器构架(格式）:DRAM 类别:DDR存储器 封装:FBGA-60 工作电压:1.7V ~ 1.9V 内存大小:1Gb

FLASH存储器PC28F640J3F75A

类型:FLASH存储器 封装:EasyBGA-64 Device Density:64Mb 工作电压:2.7V~3.6V Access Speed:75NS

FLASH存储器MTFC8GAKAJCN-4M IT

类型:FLASH存储器 工作温度:–40˚C to +85˚C 封装:VFBGA-153 内存:8G 工作电压:2.7–3.6V

FLASH存储器MTFC4GACAJCN-1M WT

类型:FLASH存储器 封装:VFBGA-153 内存:4G 工作温度:–25˚C to +85˚C 工作电压:2.7–3.6V

SDRAM存储器MT48LC16M16A2P-6A

类型:SDRAM存储器 封装:TSOP(II)-54 存储器容量:256Mb (16M x 16) 工作电压:3~3.6V 工作温度:0°C ~ 70°C（TA）

SDRAM存储器MT47H64M16NF-25E IT:M

类型:SDRAM存储器 封装:FBGA-84 内存:64 Meg x 16 工作电压:1.8V ±0.1V 工作温度:–40°C~+95°C