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产品分类
FDMA6676PZ原装MOSFET安森美专营
FDMA6676PZ
ON(安森美)
QFN16
普通型
贴片式
盒带编带包装
大功率
超高频
PNP型
产品信息
FDMA6676PZ是超低电阻P沟道FET。它专为电力线负载切换应用和反极性保护而设计。它特别针对可以高达25V的电压轨进行了优化。典型的终端系统包括笔记本电脑,平板电脑和手机。应用包括电池保护,输入电源线保护和充电路径保护,包括USB和其他充电路径。FDMA6676PZ具有25V的增强型V GS额定值,专为简化安装而设计。当用作反向极性保护时,栅极接地并且漏极连接到V输入,它设计用于支持高达25V的工作输入电压,而无需在栅极上进行外部齐纳保护。它的小2x2x0。主要特点r DS(on)= 13.5mΩ@ V GS = -10 V.25V V GS扩展工作额定值30V V DS阻断2x2mm外形薄型 - 0.8毫米集成d保护二极管符合RoHS标准Halo gen Free技术属性寻找相似的零件描述值漏极源电压30 V安装表面贴装针数6产品尺寸2 x 2 x 0.75()电压600ECCN / UNSPSC描述值ECCN:EAR99HTSN:8541290095" 8541.29.00.95
FDMA6676PZ属于FET 类型P 沟道技术MOSFET(金属氧化物)漏源电压(Vdss)30V电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)11A(Ta)驱动电压( Rds On, Rds On)4.5V,10V不同 Id,Vgs 时的 Rds On(值)13.5 毫欧 @ 11A,10V不同 Id 时的 Vgs(th)(值)2.6V @ 250μA不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(值)46nC @ 10VVgs(值)±25V不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(值)2160pF @ 15VFET 功能-功率耗散(值)2.4W(Ta)工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)安装类型表面贴装供应商器件封装6-MicroFET(2x2)封装/外壳6-PowerWDFN
FDMA6676PZ图一