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产品信息
NGTB25N120FL3WG 原装 NGTB25N120FL3WG NGTB25N120FL3WG ON专营
制造商: ON Semiconductor
产品种类: IGBT 晶体管
RoHS: 详细信息
技术: Si
封装 / 箱体: TO247-3
安装风格: Through Hole
配置: Single
集电极—发射极电压 VCEO: 1.2 kV
集电极—射极饱和电压: 1.7 V
栅极/发射极电压: 20 V
在25 C的连续集电极电流: 100 A
Pd-功率耗散: 349 W
工作温度: - 55 C
工作温度: + 175 C
封装: Tube
商标: ON Semiconductor
栅极—射极漏泄电流: 200 nA
产品类型: IGBT Transistors
工厂包装数量: 30
子类别: IGBTs
单位重量: 4.083 g
