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深圳市合芯力科技有限公司
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FDMA6676PZ原装MOSFET安森美专营
FDMA6676PZ
ON（安森美）
QFN16
普通型
贴片式
盒带编带包装
大功率
超高频
PNP型
产品信息
FDMA6676PZ是超低电阻P沟道FET。它专为电力线负载切换应用和反极性保护而设计。它特别针对可以高达25V的电压轨进行了优化。典型的终端系统包括笔记本电脑，平板电脑和手机。应用包括电池保护，输入电源线保护和充电路径保护，包括USB和其他充电路径。FDMA6676PZ具有25V的增强型V GS额定值，专为简化安装而设计。当用作反向极性保护时，栅极接地并且漏极连接到V输入，它设计用于支持高达25V的工作输入电压，而无需在栅极上进行外部齐纳保护。它的小2x2x0。主要特点r DS（on）= 13.5mΩ@ V GS = -10 V.25V V GS扩展工作额定值30V V DS阻断2x2mm外形薄型 - 0.8毫米集成d保护二极管符合RoHS标准Halo gen Free技术属性寻找相似的零件描述值漏极源电压30 V安装表面贴装针数6产品尺寸2 x 2 x 0.75（）电压600ECCN / UNSPSC描述值ECCN：EAR99HTSN：8541290095" 8541.29.00.95
FDMA6676PZ属于FET 类型P 沟道技术MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）30V电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）11A（Ta）驱动电压（ Rds On， Rds On）4.5V，10V不同 Id，Vgs 时的 Rds On（值）13.5 毫欧 @ 11A，10V不同 Id 时的 Vgs（th）（值）2.6V @ 250μA不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（值）46nC @ 10VVgs（值）±25V不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（值）2160pF @ 15VFET 功能-功率耗散（值）2.4W（Ta）工作温度-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型表面贴装供应商器件封装6-MicroFET（2x2）封装/外壳6-PowerWDFN
FDMA6676PZ图一
