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深圳市合芯力科技有限公司
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产品信息
FCP125N60E FCP125N60E FCP125N60E
制造商: ON Semiconductor
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
技术: Si
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-220-3
通道数量: 1 Channel
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 600 V
Id-连续漏极电流: 29 A
Rds On-漏源导通电阻: 125 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压: 2.5 V
Vgs - 栅极-源极电压: 20 V, 30 V
Qg-栅极电荷: 75 nC
工作温度: - 55 C
工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 278 W
配置: Single
通道模式: Enhancement
商标名: SuperFET II
封装: Tube
高度: 16.3 mm
长度: 10.67 mm
系列: FCP125N60E
晶体管类型: 1 N-Channel
宽度: 4.7 mm
商标: ON Semiconductor / Fairchild
正向跨导 - 值: 25 S
下降时间: 23 ns
产品类型: MOSFET
上升时间: 20 ns
工厂包装数量: 800
子类别: MOSFETs
典型关闭延迟时间: 106 ns
典型接通延迟时间: 23 ns
单位重量: 1.800 g
