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深圳市合芯力科技有限公司
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产品分类
- 贴片/片式/SMD二极管(2)
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- LED器件(1)
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产品信息
FCP190N60 原装 FCP190N60 FCP190N60 ON专营
FCP190N60E
参数信息制造商:ON Semiconductor
产品种类:MOSFET
RoHS:是
技术:Si
安装风格:Through Hole
封装 / 箱体:TO-220-3
通道数量:1 Channel
晶体管极性:N-Channel
Vds-漏源极击穿电压:600 V
Id-连续漏极电流:20.6 A
Rds On-漏源导通电阻:190 mOhms
Qg-栅极电荷:63 nC
工作温度:- 55 C
工作温度:+ 150 C
Pd-功率耗散:208 W
配置:Single
商标名:SuperFET II
封装:Tube
高度:16.3 mm
长度:10.67 mm
系列:FCP190N60E
晶体管类型:1 N-Channel
类型:600 V N-Channel MOSFET
宽度:4.7 mm
商标:ON Semiconductor / Fairchild
下降时间:15 ns
产品类型:MOSFET
上升时间:14 ns
工厂包装数量:800
子类别:MOSFETs
典型关闭延迟时间:101 ns
典型接通延迟时间:23 ns
FCP190N6O I FCPF190N6ON-Channel SuperFET ll MOSFET600 V, 20.2 A, 199 mQ2
Features
. 650V @ Tj= 150C· Typ. Ros(on)= 170 m2?
. Ultra Low Gate Charge (Typ. Qg= 57 nC)
· Low Efetive Output Capacitance (Typ. osqem.)= 160 pF)· 100% Avalanche Tested. RoHS CompliantApplications
. LCD/LED/PDP TV Lighting. Solar Inverter
· AC-DC Power Supply
Description
SuperFET Il MOSFET is Fairchild Semiconductor's brand-newhigh voltage super-junction (SJ) MOSFET family that is utilizingcharge balance technology for outstanding low on-resistanceand lower gate charge perfomance. This technology is tailoredto minimize conduction loss, provide superior switching perfor-mance, dvidt rate and higher avalanche energy. Consequently,SuperFET ll MOSFET is very suitable for the switching powerapplications such as PFC, server/telecom power, FPD TVpower, ATX power and industrial power applications.
