深圳市合芯力科技有限公司

SDRAM存储器MT41K256M8DA-125:K

存储器格式:DRAM 内存大小:2Gb （256M x 8） 封装:78-FBGA（8x10.5） 技术:SDRAM - DDR3L 工作温度:0°C ~ 95°C（TC）

SDRAM存储器MT41K256M16HA-125:E

存储器格式:DRAM 技术:SDRAM - DDR3L 存储容量:4Gb （256M x 16） 封装:96-FBGA（9x14） 工作温度:0°C ~ 95°C（TC）

DDR存储MT46V128M8P-6T IT:A

存储器构架:DRAM 类型:DDR 封装:tsop66 工作电压:2.3V ~ 2.7V 内存大小:1Gb

DDR存储器/MT41K512M16HA-125:A

类型:DDR内存 封装:FBGA96 内存大小:512 Meg x 16 工作电压:1.5V 温度:0°C ? T C ? +95°C

MT47H128M8SH-25E:M/MT47H128M16RT-25E

存储器构架(格式）:DRAM 类别:DDR存储器 封装:FBGA-60 工作电压:1.7V ~ 1.9V 内存大小:1Gb

FLASH存储器PC28F640J3F75A

类型:FLASH存储器 封装:EasyBGA-64 Device Density:64Mb 工作电压:2.7V~3.6V Access Speed:75NS

FLASH存储器MTFC8GAKAJCN-4M IT

类型:FLASH存储器 工作温度:–40˚C to +85˚C 封装:VFBGA-153 内存:8G 工作电压:2.7–3.6V

FLASH存储器MTFC4GACAJCN-1M WT

类型:FLASH存储器 封装:VFBGA-153 内存:4G 工作温度:–25˚C to +85˚C 工作电压:2.7–3.6V

SDRAM存储器MT48LC16M16A2P-6A

类型:SDRAM存储器 封装:TSOP(II)-54 存储器容量:256Mb (16M x 16) 工作电压:3~3.6V 工作温度:0°C ~ 70°C（TA）

SDRAM存储器MT47H64M16NF-25E IT:M

类型:SDRAM存储器 封装:FBGA-84 内存:64 Meg x 16 工作电压:1.8V ±0.1V 工作温度:–40°C~+95°C

FLASH存储器M25P16-VMN6TP

类别:FLASH存储器 容量:16Mb (2M x 8) 存储器构架(格式):闪存 封装:SOP8 工作电压:2.7V ~ 3.6V

DDR4-4G存储器MT40A256M16GE-083E:B

容量:4G 封装:96-TFBGA 存储器格式:DRAM 工作温度:0°C ~ 95°C（TC） 工作电压:1.14V ~ 1.26V

32KB ISP闪存的MCU C8051F902-D-GU

数据RAM大小:768 B. 封装:QSOP24 数据总线宽度:8位 时钟频率:25 MHz 程序内存:8 kB

FLASH-NOR-IC-1Gb-存储器PC28F00AP30TF

内存:1GB 封装:64-TBGA 产品种类:NOR闪存 系列:Axcell™ 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）

存储器， DRAM IC,4G,AS4C256M16D3B-12BCN

内存:4G 存储器格式:DRAM 封装:FBGA-96 包装方式:托盘 支持:SDRAM - DDR3